在半导体制造向更小制程、更高集成度不断演进的进程中，晶圆激光加工技术正成为**封装与第三代半导体制造的关键环节。晶圆激光隐切与激光开槽作为当前主流的晶圆激光加工工艺，分别针对晶圆内部改质划片与表面Low-K层去除，对运动平台的几何精度、轨迹平滑度、速度均一性及振动**能力提出了严苛要求。TOKK激光隐切开槽运动平台，针对晶圆激光隐切与开槽工艺需求自主开发，以纳米级定位精度与**的动态性能，为晶圆激光加工提供稳定可靠的运动保障，助力半导体制造迈向更高良率。

1. 晶圆激光隐切工艺

晶圆激光隐切是通过激光束对晶圆内部进行精确加工，*终形成一个有微缺陷、可断离的薄层，实现对晶圆的划片。这种技术避免了传统机械切割或激光表面切割带来的表面损伤和碎屑污染，提高了晶圆切割精度和效率。晶圆激光隐切工艺属于第三代半导体晶圆划片的主流工艺，具有切割损耗低、崩边小、加工效率高等优点。

在这一工艺中，激光焦点位于晶圆内部。平台在运动过程中任何微小的轨迹抖动、速度波动或垂直方向振动，都会导致焦点偏移，造成改质层断线、偏移，影响*终裂片效果。因此，晶圆激光隐切工艺对超精密运动平台提出了非常严苛的技术指标。

2. 晶圆激光开槽工艺

晶圆激光开槽是通过光路整型系统将激光整型成特定形状，使激光能够聚焦于材料表面，形成特定的槽型。利用超快激光**峰值功率，可以瞬间将Low-K层汽化，减少热影响区且没有中间过程。该工艺要求平台在高速扫描中保持**的轨迹精度与速度一致性，确保开槽深度与宽度均匀可控。

针对晶圆激光隐切与开槽工艺的严苛需求，TOKK自主完成了超精密多轴气浮运动平台及其运动控制系统的开发，适配目前晶圆激光隐切及开槽*新工艺需求。

1. 核心指标：高精度、高一致性、高动态响应

TOKK激光隐切开槽运动平台采用线轨与气浮相结合的传动方式，X轴**行程450mm，Y轴**行程500mm，θ轴支持360°旋转并支持定制。平台*大速度X轴600mm/s、Y轴1000mm/s、θ轴120rpm，速度一致性≤1‰，*大加速度X轴1G、Y轴1.5G。电子分辨率达1nm，直线度X轴±1μm、Y轴±0.5μm，Pitch与Yaw的X轴与Y轴分别控制在±10arcsec与±3arcsec以内。平台静态抖动±25nm，整定时间≤50ms@±25nm，带载悬频≥150Hz，控制系统采用ACS。这些指标确保激光焦点在晶圆内部加工过程中始终稳定，避免因轨迹抖动或速度波动导致的改质层断线或偏移。

2. 气浮技术：消除摩擦，实现平稳运动

TOKK激光隐切开槽运动平台采用气浮轴承系统，可在运动组件与导轨、基座间建立均匀稳定的气膜，彻底消除接触摩擦与机械磨损，实现纳米级定位精度下的平稳运动。这一特性对于晶圆激光隐切尤为关键——任何机械接触带来的微小振动都可能影响激光焦点位置，而气浮技术从根本上消除了这一干扰源。

3. 精密运动控制：保障轨迹平滑与速度均一

平台搭载高性能运动控制系统，通过闭环轨迹误差补偿算法，可满足晶圆激光加工过程中微米级轨迹精度与高动态响应的控制需求。在隐切工艺中，系统确保激光焦点在晶圆内部高速扫描时保持轨迹平滑，速度波动控制在≤1‰以内；在开槽工艺中，精准的速度控制保障了槽型深度与宽度的一致性。

4. 多轴协同：适配复杂加工轨迹

TOKK激光隐切开槽运动平台支持X、Y、θ多轴联动，可适配晶圆激光隐切与开槽的复杂加工轨迹需求。θ轴的360°旋转能力与高精度角度控制，使平台能够灵活应对不同晶圆尺寸与加工方向的要求。平台还支持双轴气浮定制，可根据客户工艺需求灵活配置。